2月27日至28日，2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇在山城重慶國際會議中心盛大召開。本次論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）與三安光電股份有限公司 共同主辦，極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導體產(chǎn)業(yè)、重慶三安半導體有限責任公司、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦，重慶大學、重慶郵電大學、湖南三安半導體有限責任公司等單位協(xié)辦。
作為第三代半導體領域的年度盛會，多方優(yōu)勢力量強強聯(lián)合，院士領銜，專家齊聚，攜手促進功率半導體全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展。中國工程院院士、西北工業(yè)大學黨委書記、教授李言榮，中國科學院院士、武漢大學教授劉勝，重慶市政府副市長、西部科學城重慶高新區(qū)黨工委書記馬震，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會委員吳玲，福建三安集團董事長林秀成，三安光電股份有限公司副董事長林科闖，重慶市政府副秘書長凌凡，西部科學城重慶高新區(qū)黨工委委員、管委會副主任彭世權，西永微電園公司副總經(jīng)理陳昱陽以及重慶市發(fā)改委、經(jīng)信委、科技局等相關部門的領導嘉賓，業(yè)內(nèi)知名專家學者、企業(yè)領袖、行業(yè)組織領導出席會議。
聚焦碳化硅前沿技術，共話產(chǎn)業(yè)未來
本屆論壇以“功率半導體制造與供應鏈創(chuàng)新”為核心議題，圍繞碳化硅材料制備、芯片制造、器件應用等全產(chǎn)業(yè)鏈展開深度探討。會議期間，第三代半導體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟組織與會嘉賓參觀了華潤微電子重慶工廠及安意法半導體重慶工廠。值得關注的是，國內(nèi)半導體知名企業(yè)三安光電與國外半導體知名企業(yè)意法半導體強強聯(lián)合打造的國內(nèi)首條8英寸車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線于論壇首日（2月27日）正式通線，標志著我國在碳化硅規(guī)模化生產(chǎn)領域邁出關鍵一步。
山大華天發(fā)聲：碳化硅技術驅(qū)動電能質(zhì)量與儲能革新
作為碳化硅器件應用端的代表企業(yè)，山大華天集團總工程師遲恩先在論壇上發(fā)表了題為《SiC器件在電能質(zhì)量優(yōu)化與儲能一體化裝置中的應用》的主題演，展現(xiàn)了山大華天在碳化硅器件應用領域的專業(yè)實力與創(chuàng)新成果。
1.效率躍升，功率密度突破
遲恩先指出，山大華天通過將碳化硅器件深度集成至電能質(zhì)量優(yōu)化與儲能設備中，成功實現(xiàn)產(chǎn)品功率密度提升50%以上，系統(tǒng)綜合效率突破98%，顯著降低設備體積與能耗，為工業(yè)用戶提供更高效、更可靠的解決方案。
2.直擊行業(yè)痛點：第三代半導體制造的供電保障
針對碳化硅芯片生產(chǎn)過程中精密設備對電能質(zhì)量的嚴苛要求，山大華天推出專為半導體產(chǎn)線設計的動態(tài)電壓恢復器DVR與動態(tài)電壓調(diào)節(jié)器AVC以及直流型電壓暫降治理裝置DC-BANK，上述裝置可實現(xiàn)實時抑制電壓暫升、暫降及諧波干擾，保障產(chǎn)線設備穩(wěn)定運行，避免因電能質(zhì)量問題導致的價值千萬級晶圓報廢風險。
3.光儲直柔微電網(wǎng)：碳化硅技術賦能零碳未來
演講報告中也展示了采用碳化硅雙向變流器為核心的光儲直柔微電網(wǎng)一體化裝置。該產(chǎn)品通過SiC器件的高頻開關特性與低損耗優(yōu)勢，實現(xiàn)光伏、儲能、柔性負荷的高效協(xié)同，已在多個工業(yè)園區(qū)實現(xiàn)“源-網(wǎng)-荷-儲”智能調(diào)控，助力用戶側能源成本降低超20%。
圓桌對話：山大華天共議碳化硅產(chǎn)業(yè)化挑戰(zhàn)
在主題為“碳化硅技術規(guī)?；涞氐臋C遇與挑戰(zhàn)”的圓桌會議上，遲恩先與產(chǎn)業(yè)鏈上下游專家深入探討了碳化硅器件成本控制、可靠性驗證及場景化應用等熱點問題。他強調(diào)：“碳化硅的規(guī)?；瘧眯枰越K端需求為牽引，山大華天正通過‘器件-裝置-系統(tǒng)’三級聯(lián)動研發(fā)模式，推動SiC技術在高效電能質(zhì)量場景的快速落地。
技術落地，產(chǎn)品先行：山大華天核心方案亮相
以此次論壇為契機，山大華天同步展示了其碳化硅技術應用的多個核心產(chǎn)品線：
基于SiC器件的有源電力濾波器
濾波能力：97% 濾波范圍：有效濾除2～63次諧波
功率損耗：≤2.5% 功率密度：較硅基產(chǎn)品提高50%
基于SiC器件的HTDVR/HTAVC/HTDC-BANK系列電壓暫降綜合治理設備
專為半導體制造、數(shù)據(jù)中心等高敏感負荷場景設計，響應速度≤2ms，電壓補償精度達±1%，護航關鍵產(chǎn)線“零斷電”。
基于SiC器件的光儲直柔微電網(wǎng)一體化裝置
集成光伏逆變、儲能變流、柔性配電功能，支持100%新能源滲透率，能夠?qū)崿F(xiàn)并離網(wǎng)實時切換；適用于工業(yè)園區(qū)、綠色建筑等場景。
以技術深耕，領跑第三代半導體應用賽道
此次高峰論壇，山大華天不僅向業(yè)界展示了碳化硅器件應用的創(chuàng)新成果，更通過與全球產(chǎn)業(yè)鏈伙伴的深度交流，進一步明確了技術升級方向；未來，公司將繼續(xù)推動碳化硅技術在公司產(chǎn)品上的規(guī)?；瘧?，為中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入強勁動能！
